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高通和英特尔千兆LTE芯片发布 理论网速超过1Gbps

来源:发布时间: 2017-02-22 101次浏览

移动世界大会(MWC)将于下周举行,今天,高通和英特尔双双为智能手机发布了最新的 LTE 芯片,两个公司的芯片可以实现理论下载速度 1Gbps,也就是所谓的“千兆 LTE”。这两家公司都是苹果 iPhone LTE 芯片的供应商。高通发布的是全新 骁龙 Snapdragon X20 芯片,支持 Category 18 下载速度最高为 1.2Gbps,Category 13 上传速度最高 150Mbps。X20 芯片基于 X16 芯片开发,X16 的理论下载速度高达 1Gbps。

联发科在中、高阶市场被高通(Qualcomm)堵住,在中、低阶市场又遇到紧迫盯人的展讯,面临前后遭夹击的命运,虽然联发科与台积电合作10纳米制程,欲突围高阶市场,但因设计规格追不上高通,且量产时程一再推迟,使得联发科抢攻高阶10纳米之役不算成功。

反观展讯与英特尔(Intel)合作越来越紧密,在连开两颗14纳米高阶芯片之后,可能往中、低阶市场扩大合作。近期联发科传出考虑换战线,借以甩开与展讯的缠斗,联发科看好在大陆极为火红的FD-SOI制程,成为主流FinFET技术外的另一股崛起势力。

目前FD-SOI制程的拥护者包括GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics),以及大陆晶圆代工厂华力微等,都有评估投入的迹象,其中,GlobalFoundries宣传最卖力,连续擘划22纳米和12纳米两世代的FD-SOI技术。

供应链业者指出,联发科内部评估在GlobalFoundries开一颗22纳米FD-SOI制程芯片,主打中、低阶手机芯片市场,这将是28纳米平面式电晶体(Planar CMOS)和16/14纳米FinFET两大技术以外的另一个新战场,并避开Planar CMOS功耗高、FinFET成本高的缺点,利用FD-SOI制程的低功耗、低漏电、低成本优势,开创中、低阶手机芯片领域新局。

联发科该计划就等蔡力行拍板定案,蔡力行将提前在7月上任联发科共同执行长,由于联发科和台积电近期因为采用10纳米制程的X30芯片出货延迟,让联发科公开抱怨10纳米良率太低,蔡力行上任之后,联发科的晶圆代工策略是市场关注焦点之一。

在中、高阶手机芯片,联发科也考虑到台积电新推出的12纳米投单,未来在技术划分上,12/14/16纳米FinFET主打中、高阶芯片,22/28纳米主打中、低阶芯片,其中22纳米将是FinFET、Planar和FD-SOI三大技术分水岭,英特尔22纳米是FinFET制程,台积电22纳米是28纳米Planar微缩,而GlobalFoundries的22纳米是FD-SOI制程。

事实上,FD-SOI制程曾被台积电、英特尔等大厂内部评估过,最后还是选主流的FinFET技术,依循摩尔定律微缩下去,但FD-SOI势力这两年在大陆卷土重来,主要是具备低功耗优势,在物联网(IoT)、车用电子上极为适合,GlobalFoundries更宣布在成都兴建新的FD-SOI专属12吋晶圆厂。

三星也推出28纳米FD-SOI制程,拿下恩智浦SoC芯片代工订单,预计2019年推出下一代18纳米FD-SOI技术,与GlobalFoundries一同炒热大陆FD-SOI市场,未来若联发科正式采用,将使得FD-SOI技术不仅用在物联网、车联网等领域,在手机芯片领域亦将另辟蹊径。